Module
MG150Q2YS40
MOSFET P-Channel
Mô tả
IGBT module 1200V, 150A, dùng trong xe điện và biến tần công suất trung bình
Điện áp Min0V
Điện áp Max+1200V
Sơ đồ chân
| 1 | Collector Cực C (Thu): Dòng chính đi vào BJT |
|---|---|
| 2 | Emitter Cực E (Phát): Dòng chính đi ra BJT |
| 3 | Gate Cực G (Cổng): Kích mở MOSFET/IGBT/Thyristor |
Có thể thay thế bằng (Cùng chân & cực tính)
Tương đương (Admin Note)
CM150DU-24H