IGBT 60A 600V tốc độ cao, tích hợp diode, phù hợp mạch hàn xung
| 1 | Gate Cực G (Cổng): Kích mở MOSFET/IGBT/Thyristor |
|---|---|
| 2 | Collector Cực C (Thu): Dòng chính đi vào BJT |
| 3 | Emitter Cực E (Phát): Dòng chính đi ra BJT |
| TAB | Collector Cực C (Thu): Dòng chính đi vào BJT |