TO-247
IXGH75N60
MOSFET P-Channel
Mô tả
IGBT công suất 600V, 75A, dùng trong bộ nguồn hàn và biến tần công nghiệp
Điện áp Min0V
Điện áp Max+600V
Sơ đồ chân
| 1 | Gate Cực G (Cổng): Kích mở MOSFET/IGBT/Thyristor |
|---|---|
| 2 | Collector Cực C (Thu): Dòng chính đi vào BJT |
| 3 | Emitter Cực E (Phát): Dòng chính đi ra BJT |
Có thể thay thế bằng (Cùng chân & cực tính)
Tương đương (Admin Note)
RGH80N60