TO-247
HGTG30N60A4
MOSFET P-Channel
Mô tả
IGBT công suất 600V, 60A, tốc độ cao, dùng trong UPS và nguồn công suất
Điện áp Min0V
Điện áp Max+600V
Sơ đồ chân
| 1 | Gate Cực G (Cổng): Kích mở MOSFET/IGBT/Thyristor |
|---|---|
| 2 | Collector Cực C (Thu): Dòng chính đi vào BJT |
| 3 | Emitter Cực E (Phát): Dòng chính đi ra BJT |
Có thể thay thế bằng (Cùng chân & cực tính)
Tương đương (Admin Note)
IGW30N60