TO-247
IXGH40N120
MOSFET P-Channel
Mô tả
IGBT công suất 1200V, 40A, dùng trong nguồn cao áp và biến tần
Điện áp Min0V
Điện áp Max+1200V
Sơ đồ chân
| 1 | Gate Cực G (Cổng): Kích mở MOSFET/IGBT/Thyristor |
|---|---|
| 2 | Collector Cực C (Thu): Dòng chính đi vào BJT |
| 3 | Emitter Cực E (Phát): Dòng chính đi ra BJT |
Có thể thay thế bằng (Cùng chân & cực tính)
Tương đương (Admin Note)
FGH40N120