Thư viện linh kiện - HQD Components
Kết quả lọc
174 kết quả (Trang 3/15)
TO-220
IGBT 2SC3997

MOSFET công suất 700V, 10A, thường dùng trong nguồn TV LCD/LED

Min 0V Max +700V
DIP-9
IGBT STR-W6053

IC nguồn xung cho TV CRT, tích hợp MOSFET công suất

Min 0V Max +600V
TO-3P
IGBT BU508A

Transistor công suất dòng quét ngang CRT, 1500V, 8A

Min 0V Max +1500V
TO-247
MOSFET P-Channel HGTG150N120

IGBT công suất 1200V, 150A, tốc độ cao, dùng trong UPS và nguồn công suất rất lớn

Min 0V Max +1200V
Module
MOSFET P-Channel MG1200Q2YS40

IGBT module 1200V, 1200A, dùng trong xe điện và biến tần công suất cực lớn

Min 0V Max +1200V
Dual Module
MOSFET P-Channel CM2200DY-24H

IGBT module 1200V, 2200A, dùng trong biến tần công nghiệp và hệ thống năng lượng tái tạo quy mô cực lớn

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel IXGH350N120

IGBT công suất 1200V, 350A, dùng trong biến tần công nghiệp và UPS công suất cực lớn

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel RGH400N60

IGBT công suất 600V, 400A, dùng trong bộ nguồn hàn công nghiệp và biến tần công suất cực lớn

Min 0V Max +600V
TO-247
MOSFET P-Channel HGTG120N120

IGBT công suất 1200V, 120A, tốc độ cao, dùng trong UPS và nguồn công suất lớn

Min 0V Max +1200V
Module
MOSFET P-Channel MG1000Q2YS40

IGBT module 1200V, 1000A, dùng trong xe điện và biến tần công suất cực lớn

Min 0V Max +1200V
Dual Module
MOSFET P-Channel CM2000DY-24H

IGBT module 1200V, 2000A, dùng trong biến tần công nghiệp và hệ thống năng lượng tái tạo quy mô cực lớn

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel IXGH300N120

IGBT công suất 1200V, 300A, dùng trong biến tần công nghiệp và UPS công suất rất lớn

Min 0V Max +1200V