Thư viện linh kiện - HQD Components

Kết quả lọc

45 kết quả (Trang 3/4)

TO-247

MOSFET P-Channel RGH150N60

IGBT công suất 600V, 150A, dùng trong bộ nguồn hàn và biến tần công nghiệp nặng

Min 0V Max +600V

TO-247

MOSFET P-Channel HGTG50N120

IGBT công suất 1200V, 50A, tốc độ cao, dùng trong UPS và nguồn công suất

Min 0V Max +1200V

Module

MOSFET P-Channel MG400Q2YS40

IGBT module 1200V, 400A, dùng trong xe điện và biến tần công suất lớn

Min 0V Max +1200V

Dual Module

MOSFET P-Channel CM800DY-24H

IGBT module 1200V, 800A, dùng trong biến tần công nghiệp và hệ thống năng lượng tái tạo

Min 0V Max +1200V

TO-247

MOSFET P-Channel IXGH100N120

IGBT công suất 1200V, 100A, dùng trong biến tần và UPS công suất lớn

Min 0V Max +1200V

TO-247

MOSFET P-Channel RGH120N60

IGBT công suất 600V, 120A, dùng trong bộ nguồn hàn và biến tần công nghiệp

Min 0V Max +600V

TO-247

MOSFET P-Channel IXGH75N60

IGBT công suất 600V, 75A, dùng trong bộ nguồn hàn và biến tần công nghiệp

Min 0V Max +600V

TO-247

MOSFET P-Channel HGTG40N120

IGBT công suất 1200V, 40A, tốc độ cao, dùng trong UPS và nguồn công suất

Min 0V Max +1200V

Module

MOSFET P-Channel MG300Q2YS40

IGBT module 1200V, 300A, dùng trong xe điện và biến tần công nghiệp

Min 0V Max +1200V

Dual Module

MOSFET P-Channel CM600DY-24H

IGBT module 1200V, 600A, dùng trong biến tần công suất lớn và hệ thống năng lượng tái tạo

Min 0V Max +1200V

TO-247

MOSFET P-Channel RGH100N120

IGBT công suất 1200V, 100A, dùng trong bộ nguồn hàn và biến tần công nghiệp

Min 0V Max +1200V

TO-247

MOSFET P-Channel RGH80N60

IGBT công suất 600V, 80A, dùng trong bộ nguồn hàn và UPS

Min 0V Max +600V