Thư viện linh kiện - HQD Components
Kết quả lọc
174 kết quả (Trang 6/15)
Dual Module
MOSFET P-Channel CM600DY-24H

IGBT module 1200V, 600A, dùng trong biến tần công suất lớn và hệ thống năng lượng tái tạo

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel RGH100N120

IGBT công suất 1200V, 100A, dùng trong bộ nguồn hàn và biến tần công nghiệp

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel RGH80N60

IGBT công suất 600V, 80A, dùng trong bộ nguồn hàn và UPS

Min 0V Max +600V
Module
MOSFET P-Channel MG150Q2YS40

IGBT module 1200V, 150A, dùng trong xe điện và biến tần công suất trung bình

Min 0V Max +1200V
Dual Module
MOSFET P-Channel CM200DY-24H

IGBT module 1200V, 200A, dùng trong biến tần công nghiệp và hệ thống năng lượng

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel IXGH60N120

IGBT công suất 1200V, 60A, dùng trong nguồn cao áp và biến tần công suất lớn

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel FGH60N60

IGBT công suất 600V, 60A, tốc độ cao, dùng trong biến tần và bộ nguồn công nghiệp

Min 0V Max +600V
Dual Module
MOSFET P-Channel CM400DY-24H

IGBT module 1200V, 400A, dùng trong biến tần công suất lớn và hệ thống năng lượng

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel IXGH40N120

IGBT công suất 1200V, 40A, dùng trong nguồn cao áp và biến tần

Min 0V Max +1200V
Module
MOSFET P-Channel MG75Q2YS40

IGBT module 1200V, 75A, dùng trong biến tần công nghiệp và xe điện

Min 0V Max +1200V
TO-247
MOSFET P-Channel HGTG30N60A4

IGBT công suất 600V, 60A, tốc độ cao, dùng trong UPS và nguồn công suất

Min 0V Max +600V
TO-247
MOSFET P-Channel IGBT1MB60

IGBT công suất 600V, 20A, dùng trong biến tần và điều khiển động cơ

Min 0V Max +600V